Компания Infineon Technologies объявила о расширении семейства MOSFET-транзисторов CoolSiC 750V G2 за счет новых вариантов корпусов, ориентированных на повышение эффективности и плотности мощности в автомобильной и промышленной электронике. Новейшие устройства сочетают в себе очень низкое сопротивление в открытом состоянии с корпусами, разработанными для удовлетворения высоких требований к тепловым характеристикам и надежности, сообщает компания.
Для читателей eeNews Europe, занимающихся проектированием силовой электроники следующего поколения, это объявление, похоже, решает сразу две насущные проблемы: повышение эффективности системы при одновременном уменьшении габаритов. Новые устройства потенциально расширяют возможности проектирования на быстрорастущих рынках, таких как электромобили, зарядная инфраструктура и высокоэффективные источники питания.
Более широкий ассортимент для автомобильной и промышленной электроники
Расширенное семейство MOSFET-транзисторов CoolSiC 750V G2 теперь предлагается в корпусах, включая Q-DPAK и D2PAK, с типичными значениями RDS(on) до 60 мОм при 25°C. По данным Infineon, эти устройства предназначены для таких применений, как бортовые зарядные устройства и преобразователи постоянного тока высокого напряжения в низкое напряжение в транспортных средствах, а также импульсные источники питания для серверов и телекоммуникаций и инфраструктура зарядки электромобилей.
В нижней части спектра сопротивления в открытом состоянии находятся устройства с сопротивлением RDS(on) всего 4 мОм, предназначенные для применений, требующих превосходных статических характеристик переключения, отмечает компания. К ним относятся электронные предохранители, высоковольтные разъединители батарей, твердотельные автоматические выключатели и твердотельные реле. В таких случаях снижение потерь проводимости напрямую приводит к повышению эффективности, уменьшению тепловой нагрузки и более компактным конструкциям системы.
Характеристики корпуса и производительности
Ключевым элементом нового семейства является корпус Q-DPAK с верхним охлаждением от Infineon, разработанный для оптимизации тепловых характеристик в мощных приложениях. По данным Infineon, за счет улучшения отвода тепла корпус обеспечивает более высокую плотность мощности и надежность системы, особенно в условиях ограниченного пространства в автомобильной и промышленной отраслях.
С точки зрения производительности устройства, технология CoolSiC MOSFET 750V G2 демонстрирует высокие показатели качества, включая благоприятные значения RDS(on) x QOSS и лучшие в своем классе значения RDS(on) x Qfr, отмечает компания. Эти характеристики помогают снизить потери при переключении как в топологиях с жестким, так и с мягким переключением, особенно в сценариях с жестким переключением, где запас эффективности часто невелик.
Устройства также ориентированы на надежность. Infineon подчеркивает высокое пороговое напряжение, типичное значение VGS(th) составляет 4,5 В при 25°C, а также сверхнизкое соотношение QGD/QGS для повышения устойчивости к паразитным включениям. Расширенные возможности управления затвором поддерживают статические напряжения затвора до –7 В и переходные напряжения до –11 В, предоставляя разработчикам дополнительный запас и совместимость при сопряжении устройств в сложных силовых каскадах.