Компания Vishay Intertechnology представила 16 новых диодов Шоттки поколения 3 на 1200 В из карбида кремния (SiC), которые повышают эффективность и надежность импульсных силовых схем.
Диоды Vishay Semiconductors с объединенной конструкцией PIN-шоттки (MPS) сочетают высокую стойкость к импульсным токам с низким прямым падением напряжения, емкостным зарядом и обратным током утечки, что повышает эффективность и надежность конструкций с импульсным питанием.

Выпущенные сегодня SiC-диоды нового поколения включают в себя устройства на ток от 5 до 40 А в корпусах TO-220AC 2L, TO-247AD 2L и TO-247AD 3L со сквозными отверстиями и D²PAK 2L (TO-263AB 2L) для поверхностного монтажа. Диоды имеют низкий заряд емкости - до 28 нК, а их MPS-структура с обратной стороной, истонченной с помощью технологии лазерного отжига, обеспечивает пониженное прямое падение напряжения до 1,35 В. Кроме того, низкий типичный обратный ток утечки - до 2,5 мкА при 25 °C - снижает потери проводимости, обеспечивая высокую эффективность системы при малых нагрузках и работе на холостом ходу. В отличие от сверхбыстрых диодов, у приборов поколения 3 практически отсутствует хвост восстановления, что еще больше повышает эффективность.

Типичные области применения диодов включают AC/DC PFC и DC/DC выпрямление на выходе сверхвысокой частоты в преобразователях FBPS и LLC для инверторов солнечной энергии, систем хранения энергии, промышленных приводов и инструментов, а также центров обработки данных. Для жестких условий эксплуатации в этих приложениях устройства сочетают рабочие температуры до +175 °C с номинальными значениями прямого перенапряжения до 260 А, что обеспечивает высокую надежность. Кроме того, в диодах в корпусе D²PAK 2L используется формовочный компаунд с высоким CTI ≥ 600, обеспечивающий превосходную электрическую изоляцию при повышенном напряжении.

Обеспечивая высокую надежность, устройства, соответствующие требованиям RoHS и не содержащие галогенов, прошли испытания на обратное смещение при повышенной температуре (HTRB) в течение 2000 часов и испытания на температурное циклирование в течение 2000 термических циклов.