650-В МОП-транзисторы в новых корпусах повышают плотность мощности

13 июня 2024 г.
650-В МОП-транзисторы в новых корпусах повышают плотность мощности

Выпуская новые корпуса Thin-TOLL 8×8 и TOLT, компания Infineon Technologies AG активно ускоряет и поддерживает значительный переход к более компактным и мощным системам, обусловленный технологическим прогрессом и растущим вниманием к усилиям по декарбонизации.
Они позволяют максимально использовать основную плату PCB и дочерние платы, учитывая при этом тепловые требования системы и ограничения по площади. Компания расширяет ассортимент дискретных МОП-транзисторов CoolSiC™ на 650 В двумя новыми семействами изделий, выполненных в корпусах Thin-TOLL 8×8 и TOLT. Они основаны на технологии CoolSiC Generation 2 (G2), предлагающей значительно улучшенные показатели качества, надежности и простоты использования. Оба семейства продуктов ориентированы на мощные и средние импульсные источники питания (SMPS), включая серверы искусственного интеллекта, возобновляемые источники энергии, зарядные устройства EV и крупную бытовую технику.

Корпус Thin-TOLL имеет форм-фактор 8 x 8 мм и предлагает лучшие в своем классе возможности термоциклирования на плате (TCoB) на рынке. Пакет TOLT - это корпус с охлаждением с верхней стороны (TSC), имеющий форм-фактор, аналогичный TOLL. Оба корпуса дают разработчикам ряд преимуществ - например, их использование в блоках питания (БП) для ИИ и серверов позволяет уменьшить толщину и длину дочерних плат и использовать плоский теплоотвод. При использовании в микроинверторах, блоках питания 5G, телевизионных блоках питания и SMPS пакет Thin-TOLL 8×8 позволяет минимизировать площадь печатной платы, занимаемую устройствами питания на основной плате, а TOLT поддерживает температуру спаев устройств под контролем, учитывая, что в этих приложениях обычно используется конвекционное охлаждение. Кроме того, устройства TOLT дополняют портфель промышленных CoolSiC с верхним охлаждением компании Infineon, а именно CoolSiC 750 V в Q-DPAK. Они позволяют разработчикам сократить площадь печатной платы, занимаемую SiC MOSFET, если мощность, подаваемая на устройства, не требует корпуса Q-DPAK.

МОП-транзисторы CoolSiC 650 V G2 в корпусах ThinTOLL 8×8 и TOLT теперь доступны с RDS(on) от 20, 40, 50 и 60 мОм. Кроме того, вариант TOLT также доступен с R DS(on) 15 мОм. К концу 2024 года семейство продуктов будет расширено за счет более детального ассортимента.

Перейти к списку новостей