В линейке 15-вольтовых траншейных силовых MOSFET используется техпроцесс OptiMOS7 компании Infineon для DC-DC-преобразований с низким выходным напряжением. В семейство входит версия с пониженным истоком в новейшем корпусе PQFN 3,3 x 3,3 мм². Имеются варианты с нижним и двухсторонним охлаждением в стандартных корпусах и корпусах с центральным затвором для управления тепловым режимом при проектировании источников питания для центров обработки данных и вычислительных систем.

В ассортимент также входит надежный вариант PQFN 2 x 2 мм² с усиленным зажимом, обеспечивающий импульсный ток свыше 500 А и типичный R thJC 1,6 К/Вт.

По сравнению с хорошо зарекомендовавшими себя 25-вольтовыми элементами OptiMOS5, 15-вольтовые приборы OptiMOS7 снижают сопротивление включения R DS(on) и FOMQ g примерно на 30 %, а FOMQ OSS - в два раза за счет снижения напряжения пробоя.

Благодаря минимизации потерь на проводимость и переключение, а также использованию передовых технологий упаковки, терморегулирование становится простым и эффективным, устанавливая новые стандарты плотности мощности и общей эффективности.

Портфель 15-вольтовых MOSFET OptiMOS7 можно заказать уже сейчас, они доступны в двух типоразмерах корпусов: PQFN 3,3 x 3,3 мм² с истоком вниз и PQFN 2 x 2 мм².