Новые модули доступны на напряжение 1200 В с током коллектора 600 А и на напряжение 1700 В с током коллектора 500 А. Топология соединения внутри модуля выполнена по схеме полумост, для 1200 В IGBT доступен вариант соединения транзисторов с общим эмиттером. Приборы также можно заказать в исполнении с предварительно нанесенным теплопроводящим материалом TIM.

Технические характеристики

• напряжение/ток ­1200 В (600 А) и 1700 В (500 А);
• максимальная допустимая температура перехода Tvjop=150°C;
• изоляция 4 кВ (1 минута);
• кристаллы IGBT 4 Trench/Fieldstop;
• стандартный корпус 62 мм;
• высокие изоляционные свойства корпуса (ток утечки по воздуху и по поверхности).