Серия CoolGaN 600 В от Infineon – это транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), реализованные в соответствии со специально разработанным для GaN процессом квалификации, который кардинально отличен от квалификации других продуктов GaN. Транзисторы CoolGaN 600 В предназначены для работы в топологиях с жестким переключением, например, в корректорах коэффициента мощности (CCM PFC), в полумостовых силовых каскадах LLC и в контроллерах Solar Boost для преобразователей солнечной энергии, а также в беспроводных зарядных устройствах и в серверах.

Пример реализации безмостового ККМ на базе CoolGaN

Результатом применения CoolGaN для PFC является рекордный КПД (более 99%) с возможностью экономии для спецификации конечного изделия.

Использование IGO60R070D1 с сопротивлением 70 мОм в 2.5 кВт PFC, частота 65 кГц

Ключевые особенности:

• Напряжение «сток-исток»: 600 В;
• Нормально закрытые GaN-транзисторы;
• Ультрабыстрое переключение;
• Нет заряда обратного восстановления;
• Малый заряд затвора, малая выходная емкость;
• Высокая надежность коммутации;
• Отлично подходит для жестких и мягких топологий коммутации;
• Корпус для поверхностного монтажа позволяет достичь максимальных результатов для технологии CoolGaN;
• Квалифицирован для промышленных применений в соответствии со стандартами JEDEC (JESD47 и JESD22).

Варианты 600 В CoolGaN транзисторов