Компания Infineon Technologies выпустила устойчивую к радиации последовательную NOR Flash-память емкостью 512 Мбит для хранения конфигурационных данных ПЛИС в космических разработках.
Полевые программируемые вентильные матрицы (ППВМ), используемые в космических приложениях, требуют надежной энергонезависимой памяти высокой плотности, содержащей их загрузочные конфигурации.
Устройства SPI NOR Flash емкостью 256 Мбит и 512 Мбит сертифицированы по потоку QML-V (эквивалент QML-V) стандарта MIL-PRF-38535. Это наивысший стандарт качества и надежности, сертифицированный для микросхем аэрокосмического класса, и ключевое достижение для NOR-флэш, которая зависит от туннелирования и поэтому уязвима к ошибкам, связанным с единичными событиями (SEU), которые могут вызвать проблемы в конфигурационных файлах ПЛИС.
Компания Infineon использовала свою 65-нм технологию производства флэш-памяти с плавающим затвором для разработки 256 Мб четырехканальной флэш-памяти NOR (QSPI) и 512 Мб двойной четырехканальной флэш-памяти NOR. Оба устройства имеют интерфейс SDR 133 МГц.
Устройство объемом 512 Мб состоит из двух независимых 256-мегабитных матриц, расположенных рядом в корпусе. Это обеспечивает гибкость для разработчиков, позволяя использовать устройство в режиме двойного QSPI или одиночного QSPI на любой из плашек независимо, предлагая возможность использования второй плашки в качестве резервного решения. Компания Infineon тесно сотрудничает с компаниями экосистемы ПЛИС, такими как Xilinx, в разработке приложений космического класса.
"Наша радиационно-устойчивая двойная энергонезависимая память QSPI полностью поддерживается новейшими ПЛИС космического класса. Они обеспечивают превосходное решение для конфигурирования процессоров и ПЛИС с низким количеством выводов и выбором одного чипа", - говорит Хельмут Пухнер, вице-президент по аэрокосмической и оборонной промышленности компании Infineon Technologies LLC. "Например, весь образ для Xilinx Kintex UltraScale XQRKU060 может быть загружен примерно за 0,2 секунды в режиме dual quad".
При использовании на более высоких тактовых частотах поддерживаемая устройствами передача данных соответствует или превосходит традиционные параллельные асинхронные NOR Flash-памяти, при этом уменьшается количество выводов. Устройства устойчивы к радиации до 30 крэд (Si) со смещением и 125 крэд (Si) без смещения. При температуре 125°C устройства поддерживают 1 000 циклов программирования/стирания и 30 лет хранения данных, а при температуре 85°C - 10 000 циклов программирования/стирания и 250 лет хранения данных.
Устройства NOR Flash могут быть запрограммированы внутри системы через ПЛИС или через отдельный программатор, предлагаемый в том же 36-свинцовом керамическом плоском корпусе. Комплект для разработки и программное обеспечение Infineon также поддерживают проекты хранения изображений, данных микроконтроллера и загрузочного кода.
Устройства RadTol NOR Flash поставляются в 36-выводном керамическом плоском корпусе размером 24x12 мм 2. Устройства поддерживают температурный режим от -55°C до 125°C, с уровнем SEU < 1 x 10 -16 ударов/бит-день, SEL > 60 МэВ.см 2/мг (85°C), SEFI > 60 МэВ.см 2/мг (LET) и порогом SEU > 28 Мэв.см 2/мг (LET).